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在最近的TSMC 33周年庆典上，董事长兼联合首席执行官刘德银谈到了TSMC的先进工艺规划，最先进的2纳米工艺也进入了试点规划，明年将进行5纳米工艺的大规模生产。
刘德银强调，TSMC的先进工艺7纳米已经在台中晶圆厂运行了近两年，创造了从试生产到大规模生产的全球纪录，也创造了生产100多万片12英寸晶圆的全球首创。极紫外光(euv)应用的7nm增强型工艺技术首次于今年6月开始大规模生产，具有良好的产量性能。TSMC最新的5纳米工艺已经就绪。在过去的一年里，它在朱克第12晶圆厂和台南第18晶圆厂投入了大量的时间和精力，并有望在明年跟随7纳米的步伐，创造半导体技术的又一个里程碑。
根据TSMC之前的计划，2纳米工艺是一个重要的节点，金属轨道(金属单元高度)保持在5倍3纳米，而栅极间距(晶体管栅极间距)减小到30纳米，金属间距(金属间距)减小到20纳米，比3纳米小23%。
预计2纳米工艺将于2024年完成，并将进入大规模生产阶段，但具体细节仍不得而知。
